常闭光耦LAA110LPTR

发布时间:2019-11-16 15:13:15

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代换的光耦晶闸管型号为SW1DD-H1-4C,见上图,根据主板上铜箔的走线连接元件确定出引脚功能,并焊上引线。3,代换过程见上图,由于原机光耦晶闸管工作电压为直流12V,而代换的光耦晶闸管工作电压为5V,因此要将5V引线焊接至主板5V铜箔走线(本例焊至5V滤波电容正极),再将其余3根引线按功能焊入主板的相应焊孔即可,较后固定在主板合适的位置上(要注意绝缘)。

R2≥(13-1)/(6×)=24欧限流电阻R1可按下式计算R1≥(E-IbmRce2min)/Ibm式中:Ibm是晶体管的较大基很电流,Rce2min是光敏三很管集射间的较小电阻值。三、用光电耦合器组成的整型电路由于用光电耦合器组成的脉冲耦合电路,其前后沿时间都比较大,因此在耦合器后面接一级晶体管的整型放大电路。见表一列出几种整型电路的应用实例。

光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解?工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<0.4V,Vout约等于V_c_c(V_c_c-0.4V左右),Vout大小只受V_c_c大小影响。此时Ic

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对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。所以通过分析实际的电路,除去隔离因素,用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。此方法对于后续分析光耦的CTR参数,还有延迟参数都有助于理解。光耦CTR概要:1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量;3)CTR受多个因素影响。

T=C(RF+Re)In2二、用光电耦合器组成的双稳态电路用光电耦合器组砀双稳态电路如图2所示。电路接通电源后的稳态是BG截止,输出高电位。在触发正脉冲作用下,ib增加使BG进入放大状态,形成ib↑→if↑→ib↑↑,结果BG截止,这种电路比普通的触发顺具有更高的抗干扰能力。若设BG的很限电流Ic=6毫安,则R2=取为:

光耦合器的主要优点是:信号单向传输,输入端与输出端完全实现了电气隔离,输出信号对输入端无影响,抗干扰能力强,工作稳定,无触点,使用寿命长,传输效率高。光耦合器是70年代的发展起来产新型器件,现已广泛用于电气绝缘、电平转换、级间耦合、驱动电路、开关电路、斩波器、多谐振荡器、信号隔离、级间隔离、脉冲放大电路、数字仪表、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。在单片开关电源中,利用线性光耦合器可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。

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所以,更改Ri后,Vout输出3.3V的方波。开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的较大Ic与原边能提供的较小If之间Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较,如果Ic/If≤CTR,说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR的90%)。工作在线性状态令当别论。CTR受哪些因素影响

二、光耦选择与替换有时候由于各种原因使得现有电路板上的光耦找不到原有相同的型号来代替,但是手头上有其他厂商,甚至其他型号的光耦,这时候需要给出合理的选择看是否可替换现有的光耦,那么替换时候需要注意哪些问题呢?1、封装类型光耦根据封装来分类有同轴型,双列直插型,TO封装型,扁平封装型,贴片封装型,以及光纤传输型等,根据实际电路看是哪一种封装,这直接决定着是否可用此光耦

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注:此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线,其实不然。大部分图表曲线只是一个相对关系图,不能图中读出的参数值。计算:选用较上面一条样品曲线,由图中查出,If=16mA时CTR大概28%,在If=3.4mA时CTR大概在46%。3.4mA是16mA时的46%/28%=1.64倍;所以,在If=3.4mA/(-5~75℃),CTR下限为13.5%*1.64=22.2%

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